◎ 일본 경제산업성이 미·일 협력 및 연구개발거점 구축을 통한 차세대 반도체 설계·제조기반 확립 방안을 공표

※ 반도체 선도업체를 보유한 미국, 한국, 대만을 비롯해 인텔 공장을 유치한 유럽에 이르기까지 전 세계적으로 차세대 반도체 개발이 가속화되는 가운데, 최첨단 반도체 구조가 핀(Fin)형에서 GAA형으로 대폭 변경되며 고도의 양산 기술이 필요한 전환기가 도래함에 따라, 일본 정부는 ‘2nm 이하급’ 차세대 반도체에 진입할 수 있는 마지막 기회로 간주하고 TSMC 유치, 미국과의 반도체 협력 강화 등을 통한 반도체 부활을 추진

- 미국과 일본 정부는 제1회 미-일 상무·산업파트너십(JUCIP) 각료회담에서 「반도체협력 기본원칙」(’22.5.4)*을 수립하고 동 원칙에 따라 공동연구를 실시하기로 합의

* (半導体協力基本原則) 반도체 공급망 강화·연구개발에 동맹국, 관계국과의 협력이 필수적인 만큼 미-일 간 개방 시장·투명성·자유무역을 기본으로 반도체 공급망 정보를 상호 공유하고 반도체 제조능력 강화, 노동력 개발 촉진, 투명성 향상, 반도체 부족에 대한 긴급 대응, 연구개발 강화 등에 협력하기로 결정

- 양국은 「반도체협력기본원칙」에 따라 차세대 반도체 개발 공동 TF 설치 계획 발표(5.23 정상회담)에 이어, 첨단 기술 육성·보호를 위한 미-일 공동 연구개발에 합의하며(7.29 경제정책협의회) 일본 측 대응으로 연구개발조직인 일본판 NSTC*를 설립하기로 결정

* (National Semiconductor Technology Center) 국립반도체기술센터

◎ (배경) 일본 정부는 자국 반도체 시장이 ’20년 약 50조 엔에서 ’30년 약 100조 엔으로 성장할 것으로 예상하고 산업 부활을 위한 3단계 기본 전략을 추진

※ ‘반도체·디지털산업전략 검토회’ 제4차 회의(’21.11)에서 논의된 「디지털산업정책의 신기축」 자료에서 반도체 산업 회복을 위한  3단계 기본 전략을 제시

- (1단계: IoT용 반도체 생산 기반) 반도체 생산 포트폴리오의 조속한 강화 추진

- (2단계: 미-일 협력 강화) 미-일 협력 프로젝트를 통해 차세대 반도체 기술 습득 및 국내 확립

- (3단계: 글로벌 협력 강화) 차세대 광전융합기술 연구개발 기반 구축

◎ (프로젝트 체제) 2nm 이하급 차세대 반도체의 단기간 TAT* 양산 기반 구축을 위해 연구개발거점 LSTC**와 양산제조거점 라피더스를 설립

* (Turnaround Time) 웨이퍼를 투입해 반도체가 칩의 형태로 생산될 때까지 걸리는 시간

** (Leading-edge Semiconductor Technology Center) 기술연구조합 최첨단 반도체기술센터

▘차세대 반도체 프로젝트 주요 거점▗

▘차세대 반도체 프로젝트 체제 개요▗

◎ (프로젝트 일정) 미국에서 진행된 기초연구를 바탕으로 ’20년대 후반 일본에서 차세대 반도체를 양산하겠다는 목표를 설정하고 연구개발 프로젝트를 추진

- 미-일 정상 간 합의에 따라 설치된 미일합동태스크포스(Joint TF)에서 미국 상무부와 일본 경제산업성 간 차세대 반도체 사업 진척사항을 지속적으로 관리

- 향후 미국 NSTC와 일본 LSTC의 협력을 바탕으로, 양국 최고 인재들이 결집하여 적절한 역할 분담과 긴밀한 협력을 추진함으로써 연구개발부터 사업화의 전 과정을 진행

▘차세대 반도체 프로젝트 일정▗

(참고 : 経済産業省, 次世代半導体の設計・製造基盤確立に向けて, 2022.11.11.)

* 관련링크

https://www.meti.go.jp/press/2022/11/20221111004/20221111004-1.pdf

https://www.meti.go.jp/press/2022/11/20221111004/20221111004.html